- Описание
- Документы
Описание толщиномеров и анализаторов покрытий серии XDV-μ:
Приборы серии XDV-μ предназначены для точных измерений толщины покрытия и анализа материалов, нанесенных на сверхчувствительные структуры. Все устройства оснащены поликапиллярной оптикой, позволяющей фокусировать пучок рентгеновских лучей, создавая измерительную точку (fwhm) диаметром всего от 10 до 60 мкм. Высокая мощность сфокусированного излучения сокращает длительность измерений. Помимо универсальных измерительных приборов серии XDV-μ, также существуют специальные приборы для применения в области электроники и полупроводников. Например, модель XDV-μ LD оптимизирована для измерения толщины покрытий на печатных платах, а модель XDV-μ Wafer предназначена для применения в высокочистых помещениях.
Характеристики прибора:
- Улучшенная поликапиллярная рентгеновская оптика, позволяющая фокусировать рентгеновские лучи на сверхмалых исследуемых поверхностях.
- Современный дрейфовый кремниевый детектор (SDD), гарантирующий высокую чувствительность обнаружения.
- Программируемый измерительный столик с удлиняемым держателем для образцов для автоматических испытаний.
-
Нестандартные устройства для специального применения, в том числе:
- Модель XDV-μ LD, характеризующаяся большим измерительным расстоянием (минимум 12 мм).
- Модель XDV-μ LEAD FRAME, специально оптимизированная для измерения толщины покрытия на выводной рамке, например, Au / Pd / Ni / CuFe.
- Модель XDV-μ Wafer, оснащенная автоматической системой захвата кристаллической пластины.
Применение:
Измерение толщины покрытия:
- Измерение несмонтированных и смонтированных печатных плат.
- Анализ сложных систем покрытий в нанометровом диапазоне, например, покрытия Au/Pd/Ni /CuFe на выводной рамке.
- Автоматический контроль качества кристаллических пластин диаметром до 300 мм vИсследование базовых слоев металлизации (подстолбиковая металлизация UBM) в нанометровом диапазоне.
- Соответствие требованиям стандартов DIN EN ISO 3497 и ASTM B568.
Анализ материалов:
- Анализ сверхлегких химических элементов, например, натрия.
- Анализ бессвинцовых контактных площадок из мягкого припоя.
- Исследование элементного состава C4 и мелких столбиковых выводов из припоя, а также мелких контактных поверхностей в области полупроводников.
Технические характеристики XDV-μ:
| Диапазон элементов | от Al (13) до U (92), до 24 элементов одновременно |
|---|---|
| Рентгеновский источник | стандартно: микрофокусная трубка с вольфрамовой мишенью и бериллиевым окном;опционально: микрофокусная трубка с молибденовой мишенью и бериллиевым окном |
| Напряжение | 10 кВ, 30 кВ, 50 кВ |
| Первичный фильтр | 4 сменных: Ni 10 мкм, Al 1000 мкм, Al 500 мкм, без фильтра |
| Область измерения | Ø 20 мкм |
| Расстояние от поверхности образца до нижнего края измерительной головки | фиксированное, около 4 – 5 мм |
| Рентгеновский детектор | кремниевый дрейфовый детектор, эффективная область 20 мм2 |
| Область размещения образца | 370×320 мм |
| Максимальная масса образца | 5 кг / 20 кг |
| Максимальная высота образца | 135 мм |
| Перемещение опоры по оси XY | 250×220 мм |
| Перемещение опоры по оси Z | 140 мм |
| Скорость перемещения опоры | 60 мм/сек |
| Масштабирование | до 1080x (оптический зум: 30x, 90x, 270x; цифровой зум: 1x, 2x, 3x, 4x) |
| Габариты | 660×835×720 мм |
| Масса | 135 кг |
Технические характеристики XDV-μ LD:
| Диапазон элементов | от S (16) до U (92), до 24 элементов одновременно |
|---|---|
| Рентгеновский источник | стандартно: микрофокусная трубка с вольфрамовой мишенью и бериллиевым окном;опционально: микрофокусная трубка с молибденовой мишенью и бериллиевым окном |
| Напряжение | 10 кВ, 30 кВ, 50 кВ |
| Первичный фильтр | 4 сменных: Ni 10 мкм, Al 1000 мкм, Al 500 мкм, без фильтра |
| Область измерения | Ø 60 мкм |
| Расстояние от поверхности образца до нижнего края измерительной головки | фиксированное, около 14 мм; мин. 12 мм |
| Рентгеновский детектор | кремниевый дрейфовый детектор, эффективная область 20 мм2 |
| Область размещения образца | 370×320 мм |
| Максимальная масса образца | 5 кг / 20 кг |
| Максимальная высота образца | 135 мм |
| Перемещение опоры по оси XY | 250×220 мм |
| Перемещение опоры по оси Z | 140 мм |
| Скорость перемещения опоры | 60 мм/сек |
| Масштабирование | до 1080x (оптический зум: 30x, 90x, 270x; цифровой зум: 1x, 2x, 3x, 4x) |
| Габариты | 660×835×720 мм |
| Масса | 135 кг |
Технические характеристики XDV-μ PCB:
| Диапазон элементов | от Al (13) до U (92), до 24 элементов одновременно |
|---|---|
| Рентгеновский источник | стандартно: микрофокусная вольфрамовая трубка с бериллиевым окном;опционально: микрофокусная трубка с молибденовой мишенью и бериллиевым окном |
| Напряжение | 10 кВ, 30 кВ, 50 кВ |
| Первичный фильтр | 4 сменных: Ni 10 мкм, Al 1000 мкм, Al 500 мкм, без фильтра |
| Область измерения | Ø 20 мкм |
| Расстояние от поверхности образца до нижнего края измерительной головки | фиксированное, около 4 – 5 мм |
| Рентгеновский детектор | кремниевый дрейфовый детектор, эффективная область 20 мм2 |
| Область размещения образца | 600×600 мм |
| Максимальная масса образца | 5 кг |
| Максимальная высота образца | 10 мм |
| Перемещение опоры по оси XY | 450×300 мм |
| Скорость перемещения опоры | 60 мм/сек |
| Проекция контрастной сетки на поверхность образца | есть |
| Масштабирование | цифровой зум: 1x, 2x, 3x, 4x |
| Габариты | 670×885×660 мм |
| Масса | 156 кг |
Технические характеристики XDV-μ WAFER:
| Диапазон элементов | от Al (13) до U (92), до 24 элементов одновременно |
|---|---|
| Рентгеновский источник | стандартно: микрофокусная трубка с анодом из молибдена и бериллиевым окном;опционально: микрофокусная трубка с анодом из вольфрама и бериллиевым окном |
| Напряжение | 10 кВ, 30 кВ, 50 кВ |
| Первичный фильтр | 4 сменных: Ni 10 мкм, Al 1000 мкм, Al 500 мкм, без фильтра |
| Область измерения | Ø 20 мкм |
| Расстояние от поверхности образца до нижнего края измерительной головки | фиксированное, около 4 – 5 мм |
| Рентгеновский детектор | кремниевый дрейфовый детектор, эффективная область 20 мм2 |
| Диаметр пластины | 150 мм, 200 мм, 300 мм |
| Максимальная масса образца | 5 кг |
| Максимальная высота образца | 3 мм |
| Перемещение опоры по оси XY | 450×300 мм |
| Скорость перемещения опоры | 60 мм/сек |
| Проекция контрастной сетки на поверхность образца | есть |
| Масштабирование | цифровой зум: 1x, 2x, 3x, 4x |
| Габариты | 680×900×690 мм |
| Масса | 130 кг |
Технические характеристики XDV-μ LEAD FRAME:
| Диапазон элементов | от Na (11) до U (92), до 24 элементов одновременно |
|---|---|
| Рентгеновский источник | высокомощная трубка с бериллиевым окном |
| Напряжение | 10 кВ, 20 кВ, 50 кВ |
| Первичный фильтр | 4 сменных: Ni 10 мкм, Al 1000 мкм, Al 500 мкм, без фильтра |
| Область измерения | Ø 50 мкм |
| Расстояние от поверхности образца до нижнего края измерительной головки | фиксированное, около 1,5 – 2 мм |
| Рентгеновский детектор | кремниевый дрейфовый детектор |
| Область размещения образца | 370×320 мм |
| Максимальная масса образца | 5 кг / 20 кг |
| Максимальная высота образца | 135 мм |
| Перемещение опоры по оси XY | 250×220 мм |
| Перемещение опоры по оси Z | 140 мм |
| Скорость перемещения опоры | 60 мм/сек |
| Масштабирование | до 1080x (оптический зум: 30x, 90x, 270x; цифровой зум: 1x, 2x, 3x, 4x) |
| Габариты | 660×835×720 мм |
| Масса | 135 кг |
